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本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地;两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地;N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接;N5将绕组ND与NA隔离。 这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位，它们之间不会有容性电流。当上管TA导通、上管绕组NA的电位跳升时，屏蔽层N3和N4的电位也要同样跳变，由于N2和N3之间的分布电容，这个跳变将在这两个屏蔽层中间产生电流，但对管子的驱动没有影响，只是会耗损一点主功率。 在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动变压器之后，问题得到了全部解决。需要提出的是，屏蔽的作用是将各个绕组隔离开，以避免分布电容的不良影响。因此屏蔽层接到什么地方，是需要慎重考虑的，否则可能适得其反。如果图3中的NN4不与NA相接，而是与N2一起接到功率地，则电容分布如图4所示，CC7分别表示绕组NA的上下端与屏蔽层N3间，也就是功率地间的分布电容(实际上CC7分别是包含了图2中、C1后的等效电容)。 当NA输出正脉冲的上升沿时，TA迅速导通，M点电位跳升，于是CC7中要有容性电流产生。M是低阻抗点，电流iC7对它的电位影响不大，但N点却是高阻抗点，iC6电流将降低它的电位，可能使TA管关断。因此不能采用这种连接方式。
采用三维CAD设计就更少了。只有真正意义上的CAD，才能有效降低设计成本和设计效率并保证设计质量。三西格玛质量水平要求的缺陷率为0.27%，即合格率为973%，更不用说六个西格玛质量水平了，它要求的缺陷率为百万分之三点四，几乎是零缺陷。 变压器有的时候会产生一些小毛病，但是我们在物理学中也学习过错误和误差，一般来讲，什么是错误，什么是误差我们要分辨清楚，其实变压器也是有误差的，这不算是错误，但是由于变压器的严重到一定程度就是错误了，必须要进一步去改进了。 我们来看看变压器都是由哪些误差1)小电流运行时，既低负荷运行，由于负荷电流较小，这样励磁电流就不能忽略，这样如果直接根据关系0=I1*W1+I2*W2来求I1就不准确了。所以变压器一般都会给一个精度等级，这就和材料有关系了，材料越好，产生相同的磁通需要的电流就越小，既励磁电流就可以很小，这样自然就了测量的精度。 2)大电流运行时，由于某些原因使变压器工作进入饱和区，其实饱和不饱和并不是因为电流大就饱和，而是励磁电流大才会饱和，比如CT在线路故障时一次侧有大电流，超出了变压器容量，则超出部分就会变为励磁电流引起变压器饱和，这时变压器精度同样变差了。
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